Prof.dr. R.E.I. Schropp (1959 - )
Gewoon hoogleraar Fysica van devices vanaf 1 juli 2000
Opleiding
| Academische opleiding | Geologie,
natuurkunde |
| te | Utrecht
|
Promotie(s)
| Promotie |
Groningen, 20 maart 1987
|
| Proefschrift |
Amorphous silicon for thin-film transistors
|
| Promotor(en) |
Prof.dr. J.P. Verwey
|
Externe waardering
subsidies NWO, FOM, SenterNovem, EU e.a.
Eervolle lidmaatschappen
programmacommissies STW, FOM e.a., expert evaluator EU-programma's FP5 t/m FP7, lid EC PV Platform 2007
Functie voor benoeming
Universitair hoofddocent te Utrecht 1994
Gewoon hoogleraar Fysica van devices
| Aangesteld bij |
Natuur- en Sterrenkunde
|
| Benoemd |
8 juni 2000
|
| Aanvang |
1 juli 2000
|
| Oratie |
28 mei 2001
|
| Einde |
1 november 2012
|
| Einde vanwege |
benoeming als hoogleraar TU Eindhoven
|
| Vakgebied |
Natuurkunde; Zonnecellen
|
|
De heer
|
|
| Titel(s) |
Dr.
|
| Naam |
R.E.I.
Schropp Rudolf Emmanuel Isidore |
| Roepnaam |
Ruud
|
| Geboren |
20 september 1959
|
| te |
Maastricht, Nederland
|
| Nationaliteit |
Nederlandse
|
